Пекин, 7 июля /Синьхуа/ -- Китайские исследователи разработали новый метод производства кристаллов, который значительно улучшает управляемость их структур, говорится в исследовательской статье, опубликованной в журнале Science в пятницу.

Кристаллы являются незаменимым ключевым материалом в современных компьютерах, средствах связи, авиации и лазерных технологиях. Ожидается, что новый метод их производства повысит вычислительные мощности чипов и послужит новому поколению электронных и фотонных интегральных схем.

Традиционный метод получения кристаллов большого размера заключается в нанесении на поверхность атомов мелких кристаллических частиц слоями "снизу вверх". Этот метод ограничен необходимостью тщательного отбора типов и методов распределения атомов для успешного отложения и формирования кристаллов.

"Когда число атомов непрерывно увеличивается, расположение атомов постепенно становится неконтролируемым. Вскоре накапливаются примеси и дефекты, влияющие как на чистоту, так и на качество кристалла", - отметил профессор Института физики Пекинского университета Лю Кайхуэй.

Ученые разработали новый метод точного управления расположением атомов, позволяющий увеличить скорость роста кристаллов до 50 слоев в минуту, при этом общее количество максимально может достигать 15 000.

Атомное расположение каждого слоя полностью параллельное и точно контролируемое, что эффективно предотвращает накопление дефектов при росте кристаллов и улучшает управляемость структуры.

Исследователи применили этот новый метод для получения семи типов двумерных кристаллов.

"Толщина монослоя двумерных кристаллов составляет всего 0,7 нанометра", - отметил профессор. "Когда их используют в транзисторах интегральных схем, интеграция чипов значительно улучшается".

"Плотность расположения транзисторов на чипе размером с ноготь может значительно увеличиться для обеспечения большей вычислительной мощности", - добавил он.

Такие кристаллы также могут быть использованы для преобразования частоты света в инфракрасном диапазоне, что, как ожидается, будет способствовать применению ультратонких оптических чипов.