Ученые из Тяньцзиньского университета создали первый полупроводник на основе графена. Результатом 10-летней совместной работы с американским Технологическим университетом Джоджии стали тончайшие пластинки размером в считанные миллиметры. Уже в ближайшие годы они могут произвести революцию в электронике.

Профессор Международного центра наночастиц и наносистем Тяньцзиньского университета Ма Лэй: "Мы очень рады созданию двумерного полупроводника. Когда мы протестировали его свойства транспортировки электронов, их подвижность оказалась очень высокой, примерно в 10 раз выше, чем у кремния в обычных условиях. Мы создали новый материал с очень высокой подвижностью и широкой запрещенной зоной. Это полупроводящий эпитаксиальный графен, который люди давно искали".

Исследователи всего мира давно ищут материал на замену кремнию. Его ограничения уже проявились в гонке производителей смартфонов, где с каждым годом происходит миниатюризация техпроцесса производства чипов. Графен считают лучшим кандидатом, поскольку это прочнейшая термостойкая пленка углерода толщиной всего в один атом. Проблема в том, что она не обладает главным свойством полупроводников - проводить электричество по команде. Ученые из Тяньцзиня и Джорджии решили эту задачу, вырастив графеновую пленку на карбиде кремния, из-за чего она приобрела свойства главного материала транзисторной индустрии. По словам Ма Лэя, для замены кремния полупроводящим графеном не надо даже менять технические процессы производства чипов. Новый материал способен не только на порядок повысить вычислительную мощь смартфонов и ноутбуков, но и дать толчок развитию квантовой и наноэлектроники.